MOIP1200P SigOFIT Tastkopf
18.999,00 € Netto
22.608,81 € inkl. MwSt.
Auf Lager, Lieferzeit: 1-2 Tage
Auf Lager, Lieferzeit: 1-2 Tage
Vorteile
- Bandbreite 1,2 GHz
- Anstiegszeit ≤350 ps
- Genauigkeit < 1 %
- Gleichtaktunterdrückung: 106 dB (1,2 GHz)
Beschreibung
Die Micsig MOIP1200P ist eine optisch isolierte 1,2-GHz-Sonde für Hochspannungs-Floating-Messungen an Wide-Bandgap-Leistungshalbleitern. Es handelt sich um das Flaggschiff der MOIP-Serie und basiert auf der optischen Isolationstechnologie SigOFIT™ der dritten Generation von Micsig.
SiC- und GaN-Bauelemente schalten in Nanosekunden. Die Busspannungen steigen, und Gleichtaktstörungen sind schwerer zu kontrollieren. Herkömmliche Hochspannungs-Differenztastköpfe haben Schwierigkeiten, Bandbreite, Gleichtaktunterdrückung und Sicherheit zu vereinen.
Der MOIP1200P verfolgt einen anderen Ansatz. Der Tastkopf wandelt das Signal in Licht um, sendet es über eine Glasfaser und wandelt es am Oszilloskop wieder in ein elektrisches Signal zurück. Der Tastkopf wird über ein laserbetriebenes Netzteil versorgt. Prüfling und Oszilloskop sind vollständig voneinander isoliert, wodurch Masseschleifen vermieden werden.
Hauptmerkmale
- Bandbreite: 1,2 GHz
- Anstiegszeit: ≤ 350 ps
- Gleichtaktunterdrückung: Bis zu 180 dB bei Gleichstrom; 106 dB bei 1,2 GHz
- Gleichtaktspannung: Bis zu 85 kVsk
- Eingangskapazität: Bis zu 1 pF
- Differenzmessbereich: ±0,01 V bis ±20 kV (mit optionalen Dämpfungsköpfen)
- Rauschen: < 0,45 mVrms
- Gleichstromverstärkungsgenauigkeit: Besser als 1 %
- Ausgangsschnittstelle: BNC, kompatibel mit Oszilloskopen aller Marken
- Betrieb: Temperaturdrift auf Null, keine manuelle Kalibrierung, 365 × 24 kontinuierliche Prüfung
Vorteile
- Erleben Sie die reale Schaltflanke: 1,2 GHz Bandbreite und ≤ 350 ps Anstiegszeit erfassen die schnellsten GaN-Schaltvorgänge.
- Saubere High-Side-Wellenformen: 106 dB CMRR bei 1,2 GHz unterdrückt die hochfrequente Gleichtaktschwingung, die die Floating-Messungen verfälscht.
- Keine Masseschleifen: Die optische Isolation unterbricht den elektrischen Pfad zwischen Ihrer Schaltung und Ihrem Oszilloskop.
- Spielraum für höhere Busspannung: 85 kVpk Gleichtaktspannung deckt anspruchsvolle Hochspannungsanwendungen ab.
- Minimale Schaltungsbelastung: Eine Eingangskapazität von 1 pF stört empfindliche Knoten wie GaN-Gate-Treiber nicht.
- Eine Sonde, großer Messbereich: Rift und keine manuelle Kalibrierung unterstützen lange, ununterbrochene Testläufe.
- Passt zu Ihrer bestehenden Konfiguration: Der Standard-BNC-Ausgang ist mit Oszilloskopen aller Hersteller kompatibel.
Die SigOFIT Gen 3-Serie wurde entwickelt, um höchste Sicherheits- und Leistungsstandards zu erfüllen und bietet Ingenieuren eine zuverlässige Lösung für präzise Differenzmessungen in anspruchsvollen Hochspannungs- und Hochfrequenzumgebungen.
Features
Weitere Informationen
CMRR
Die SigOFIT-Sonde weist ein hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) von bis zu 108 dB bei 1 GHz auf.
GaN geeignet
Die Micsig SigOFIT-Sonden wurden speziell für GaN und ähnliche Anwendungen entwickelt. Um den hohen Anforderungen gerecht zu werden, sind die Messleitungen kurz und die Eingangskapazität beträgt weniger als 3 pF.
Hohe Genauigkeit
Die SigOFIT-Sonde zeichnet sich durch hervorragende Amplituden-Frequenz-Eigenschaften aus, und die Genauigkeit der Gleichstromverstärkung liegt unter 1 %. Der maximale Rauschpegel innerhalb des Messbereichs beträgt <0,45 mVrms, und die Nullpunktdrift liegt unter 0,1 %.
Für Halbleiter der dritten Generation
SiC- und GaN-Bauelemente können hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden schalten, und das Signal kann hochenergetische, hochfrequente Harmonische aufweisen.
Spezifikationen
| Modellvergleich | MOIP200P | MOIP350P | MOIP500P | MOIP1000P | MOIP1200P |
|---|---|---|---|---|---|
| Bandbreite | 200 MHz | 350 MHz | 500 MHz | 1 GHz | 1,2 GHz |
| Aufstiegszeit | ≤1,5 ns | ≤1ns | ≤800ps | ≤450ps | ≤350ps |
| CMRR | Gleichstrom: 180 dB 200 MHz: 122 dB | Gleichstrom: 180 dB 350 MHz: 118 dB | Gleichstrom: 180 dB 500 MHz: 114 dB | Gleichstrom: 180 dB 1 GHz: 108 dB | Gleichstrom: 180 dB 1,2 GHz: 106 dB |
| Differenzspannungsbereiche | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V200x: ±100 V 500X: ±250 V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V |
50X: ±25V 100x: ±50 V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V200x: ±100 V 500X: ±250 V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V200x: ±100 V 500X: ±250V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V200x: ±100 V 500X: ±250 V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V |
| Lärm | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,45 mVrms | <0,45 mVrms |
| Stromversorgung | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V |
| Genauigkeit der Gleichstromverstärkung | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % |
| Gleichtaktspannungsbereich | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk |
| Kabellänge | 2 m (anpassbar) | 2 m (anpassbar) | 2 m (anpassbar) | 2 m (anpassbar) | 2 m (anpassbar) |
Spezifikationsdämpfer
| Sondenspitze | Dämpfung | Differenzspannungsbereich (MOIP200P/350P/500P/1000P/1200P) | Eingangsimpedanz |
|---|---|---|---|
| OP20 | 2X/20X | ±1 V / ±10 V | 4,47 MΩ || ≤ 4 pF |
| OP50 | 5x/50x | ±2,5 V / ±25 V | 4,19 MΩ || ≤ 2 pF |
| OP100 | 10x/100x | ±5 V / ±50 V | 4,10 MΩ || ≤ 2 pF |
| OP200 | 20x/200x | ±10 V / ±100 V | 8MΩ || ≤ 1pF |
| OP500 | 50x/500x | ±25 V / ±250 V | 5MΩ || ≤ 1pF |
| OP1000 | 100x/1000x | ±50 V / ±500 V | 20,94 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP2000 | 200X/2000X | ± 100 V / ± 1000 V | 20,52 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP5000 | 500X/5000X | ± 250 V / ± 2500 V | 40,82 MΩ || ≤1 pF |
| OP10000 | 1000X/10000X | ± 500 V / ± 5000 V | 40,82 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP20000 | 2000X/20000X | ±1000 V / ±10000 V | 120 MΩ / 2 pF |
| OP30000 | 3000X/30000X | ±1500 V / ±15000 V | 180 MΩ / 1 pF |
| OP40000 | 4000X/40000X | ±2000 V / ±20000 V | 240 MΩ / 1 pF |
| OP5000-RF | 500X/5000X | ±250 V / ±2500 V |
Sondenspitzen
Zubehör
