Micsig MOIP800P SigOFIT Tastkopf
Vorteile
- Bandbreite 800 MHz
- Anstiegszeit ≤438 ps
- Genauigkeit < 1 %
- Gleichtaktunterdrückung: 110 dB (100 MHz)
- Dieses Produkt wurde vom Hersteller abgekündigt
Beschreibung
Der Micsig SigOFIT MOIP800P hat eine Bandbreite von 800 MHz und eine Gleichtaktunterdrückung (CMRR) von 110 dB (bei 800 MHz).Die Micsig SigOFIT-Serie repräsentiert eine fortschrittliche Generation optisch isolierter Tastköpfe, die speziell für präzise Messungen in anspruchsvollen Hochfrequenz- und Hochspannungsanwendungen entwickelt wurden. Dank der innovativen SigOFIT™-Technologie von Micsig zeichnen sich diese Tastköpfe durch ein hervorragendes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) und eine hohe Isolationsspannung aus. Mit einer Bandbreite von bis zu 1 GHz und einem CMRR von bis zu 180 dB bei Gleichstrom und 108 dB bei 1 GHz eignen sich die SigOFIT-Tastköpfe ideal für die genaue Messung von Differenzsignalen, selbst bei starken Gleichtaktspannungen.
Hauptmerkmale und Funktionen:
Optische Isolationstechnologie: SigOFIT-Sonden nutzen Glasfaserverbindungen zur optischen Isolation und gewährleisten so eine vollständige elektrische Trennung zwischen Messgerät (z. B. Oszilloskop) und Testschaltung. Dies reduziert das Risiko von Störungen durch Gleichtaktspannungen erheblich und ermöglicht gleichzeitig sichere Messungen in Hochspannungsumgebungen.
Vielseitige Anwendungsmöglichkeiten: Diese Sonden sind äußerst vielseitig einsetzbar, sei es bei der Entwicklung von Motorantrieben, bei Arbeiten mit Leistungswandlern und elektronischen Vorschaltgeräten oder bei der Analyse moderner GaN- und SiC-Halbleiterbauteile. Sie eignen sich auch ideal für Sicherheitsprüfungen in Hochspannungs- und Hochfrequenzumgebungen.
Hohe Messgenauigkeit: Mit einer Verstärkungsgenauigkeit von 1 % bei Gleichstrom und einer Rauschunterdrückung von weniger als 450 µV RMS bieten die SigOFIT-Sonden eine außergewöhnliche Präzision, die es ermöglicht, selbst kleinste Signaldetails zuverlässig zu erfassen und zu analysieren.
Anpassbare Dämpfung: Die SigOFIT-Serie verfügt über verschiedene Dämpfungsspitzen mit Dämpfungsverhältnissen von 10:1 bis 10.000:1. Dadurch können Differenzspannungen von ±0,01 V bis ±6250 V gemessen werden. Zusätzlich kann die Verstärkungsfunktion das Signal um den Faktor 10 verstärken, wodurch jede Dämpfungsspitze zwei Dämpfungsbereiche bietet. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass die Verstärkung auch Störungen und Rauschen verstärken kann.
Schnelle Kalibrierung und einfache Bedienung: Die Tastköpfe der SigOFIT-Serie verfügen über eine automatische Kalibrierungsfunktion, die in weniger als einer Sekunde abgeschlossen ist und keine Unterbrechung des Messkreises erfordert. Dies macht wiederholte Messungen besonders effizient und einfach.
Kompaktes und robustes Design: Trotz ihrer fortschrittlichen Technologie sind SigOFIT-Sonden kompakt und robust konstruiert und eignen sich daher ideal für den Einsatz in Laboren sowie in anspruchsvollen industriellen Umgebungen.
Die SigOFIT-Serie erfüllt höchste Sicherheitsstandards und bietet Anwendern eine zuverlässige und sichere Messumgebung, insbesondere bei Hochspannungs- und Hochfrequenzanwendungen. Dank dieser Eigenschaften sind die SigOFIT-Tastköpfe die optimale Wahl für kritische und anspruchsvolle Messaufgaben.
Features
Weitere Informationen

CMRR
Die SigOFIT-Sonde weist ein hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) von bis zu 128 dB bei 100 MHz und über 108 dB bei 1 GHz auf.

GaN geeignet
Die Micsig SigOFIT-Sonden wurden speziell für GaN und ähnliche Anwendungen entwickelt. Um den hohen Anforderungen gerecht zu werden, sind die Messleitungen kurz und die Eingangskapazität beträgt weniger als 3 pF.

Hohe Genauigkeit
Die SigOFIT-Sonde zeichnet sich durch hervorragende Amplituden-Frequenz-Eigenschaften aus, und die Genauigkeit der Gleichstromverstärkung liegt unter 1 %. Der maximale Rauschpegel innerhalb des Messbereichs beträgt <450 μVrms, und die Nullpunktdrift liegt nach der Aufwärmphase unter 500 μV.

Für Halbleiter der dritten Generation
SiC- und GaN-Bauelemente können hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden schalten, und das Signal kann hochenergetische, hochfrequente Harmonische aufweisen.
Spezifikationen
| Modellvergleich | MOIP100P | MOIP200P | MOIP350P | MOIP500P | MOIP800P | MOIP1000P |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Bandbreite | 100 MHz | 200 MHz | 350 MHz | 500 MHz | 800 MHz | 1 GHz |
| Aufstiegszeit | ≤3,5 ns | ≤1,5 ns | ≤1ns | ≤700 PS | ≤438ps | ≤350 PS |
| SMA-Eingangsimpedanz | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF |
| Ausgangsspannung | ±1,25 V | ±1,25 V | ±0,5 V | ±0,5 V | ±0,5 V | ±0,5 V |
| Differenzspannungsbereich | 1X: ±1,25 V 2X: ±2,5V 10X: ±12,5 V 20X: ±25V 50X: ±62,5 V 500X: ±625 V1000x: ±1250 V 2000X: ±2500V 5000X: ±6250V
| 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V
| 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V | 1X: ±0,5V 2X: ±1V 10X: ±5V 20X: ±10V 50X: ±25V 500X: ±250 V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 1000X: ±5000V | 20X: ±10V 50X: ±25V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V |
| Lärm | <450μVrms | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <450μVrms | <0,3 mVrms |
| Laufzeitverzögerung | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) |
| Stromversorgung | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V |
| Genauigkeit der Gleichstromverstärkung | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % |
| Gleichtaktspannungsbereich | 60 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk | 60 kVpk | 85 kVpk |
| Kabellänge | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) |
Spezifikationsdämpfer
| Sondenspitze | Dämpfung | Differenzspannungsbereich (MOIP100P) | Differenzspannungsbereich (MOIP800P) | Differenzspannungsbereich (MOIP200P/350P/500P/1000P) | Eingangsimpedanz |
|---|---|---|---|---|---|
| OP10 | 1x/10x | ±1,25 V / ±12,5 V | ±0,5 V / ±5 V | 3,75 MΩ / 6 pF | |
| OP20 | 2X/20X | ±2,5 V / ±25 V | ±1 V / ±10 V | ±1 V / ±10 V | 4,47 MΩ / 4 pF |
| OP50 | 5x/50x | ±6,25 V / ±62,5 V | ±2,5 V / ±25 V | ±2,5 V / ±25 V | 4,19 MΩ / 2 pF |
| OP100 | 10x/100x | ±12,5 V / ±125 V | ±5 V / ±50 V | ±5 V / ±50 V | 4,10 MΩ / 2 pF |
| OP200 | 20x/200x | ±25 V / ±250 V | ±10 V / ±100 V | 9,03 MΩ / 2 pF | |
| OP500 | 50x/500x | ±62,5 V / ±625 V | ±25 V / ±250 V | 20,98 MΩ / 1 pF | |
| OP1000 | 100x/1000x | ±125 V / ±1250 V | ± 50 V / ± 500 V | ±50 V / ±500 V | 20,94 MΩ / 1 pF |
| OP2000 | 200X/2000X | ±250 V / ±2500 V | ± 100 V / ± 1000 V | ± 100 V / ± 1000 V | 20,52 MΩ / 1 pF |
| OP5000 | 500X/5000X | ±625 V / ±6250 V | ± 250 V / ± 2500 V | ± 250 V / ± 2500 V | 40,82 MΩ / 2,4 pF | 40,92 MΩ / 1 pF |
| OP10000 | 1000X/10000X | N / A | ± 500 V / ± 5000 V | ± 500 V / ± 5000 V | 40,82 MΩ / 2,4 pF |


