Micsig MOIP1000P SigOFIT Tastkopf
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Vorteile
- Bandbreite 1 GHz
- Anstiegszeit ≤450 ps
- Genauigkeit < 1 %
- Gleichtaktunterdrückung: 108 dB (1 GHz)
Beschreibung
Der Micsig SigOFIT MOIP1000P bietet eine Bandbreite von 1 GHz und ein hervorragendes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) von 108 dB bei 1 GHz, wodurch hochpräzise Differenzmessungen in anspruchsvollen Hochspannungs- und Hochfrequenzanwendungen möglich sind.
Die Micsig SigOFIT Gen 3-Serie repräsentiert die neueste Generation optisch isolierter Tastköpfe und zeichnet sich durch außergewöhnliche Messgenauigkeit, Sicherheit und Zuverlässigkeit aus. Dank der innovativen SigOFIT™-Technologie von Micsig und lasergestützter optischer Übertragung bieten diese Tastköpfe eine vollständige galvanische Trennung zwischen Oszilloskop und Prüfling. Dadurch werden Störungen durch Gleichtaktspannungen deutlich reduziert und gleichzeitig unterbrechungsfreie, hochpräzise Messungen gewährleistet.
Mit einem Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) von bis zu 180 dB bei Gleichstrom und 108 dB bei 1 GHz erfasst die SigOFIT Gen 3-Serie Differenzsignale präzise, selbst bei starken Gleichtaktspannungen. Dadurch eignen sich die Tastköpfe ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik, Motorantrieben, Wechselrichtern, DC/DC-Wandlern, elektronischen Vorschaltgeräten sowie modernen GaN- und SiC-Halbleiterbauelementen.
Hauptmerkmale und Vorteile
Optische Isolationstechnologie
SigOFIT-Sonden nutzen Glasfaserübertragung, um eine vollständige elektrische Trennung zwischen Messsystem und Testschaltung zu gewährleisten. Dies erhöht die Messsicherheit und minimiert den Einfluss von Rauschen und Gleichtaktstörungen.
Kalibrierungsfreie Messungen
Im Gegensatz zu herkömmlichen Hochspannungs-Differenztastköpfen entfällt bei der SigOFIT Gen 3-Serie die Notwendigkeit routinemäßiger Kalibrierungs- und Nullpunktkorrekturverfahren. Anwender können sofort mit den Messungen beginnen, was die Einrichtungszeit verkürzt und die Produktivität steigert.
Hervorragende Temperaturstabilität
Die fortschrittliche optische Architektur gewährleistet eine hervorragende Temperaturstabilität mit praktisch keiner Temperaturdrift und erhält so die Messgenauigkeit auch bei längeren Testreihen und wechselnden Umgebungsbedingungen aufrecht.
Hohe Messgenauigkeit
Mit einer Verstärkungsgenauigkeit von 1% bei Gleichstrom und einer Rauschunterdrückung unter 0,3 mV RMS ermöglicht die SigOFIT-Serie eine zuverlässige Analyse selbst kleinster Signalabweichungen.
Flexibler Messbereich
Die SigOFIT-Plattform unterstützt eine Vielzahl austauschbarer Dämpfungsglieder und ermöglicht Differenzmessungen von ±0,01 V bis ±20 kV. Für spezielle Anwendungen sind zudem kundenspezifische Messspannungsbereiche verfügbar. Für Niederspannungsanwendungen kann die Sonde auch ohne Dämpfungsspitze verwendet werden, indem ein SMA-Adapter direkt an die Sonde angeschlossen wird. In dieser Konfiguration nutzt die Sonde ein internes Dämpfungsverhältnis von 2:1 und eignet sich daher für präzise Kleinsignalmessungen bei gleichzeitiger Nutzung der Vorteile der optischen Isolationstechnologie.
Vielseitige Anwendungsmöglichkeiten
Ideal für die Entwicklung von Leistungselektronik, Wechselrichtertests, Hochspannungssicherheitsprüfungen, Halbleitercharakterisierung und anspruchsvolle F&E-Anwendungen, bei denen hohe Bandbreite, hohe Isolation und überlegene Signalintegrität unerlässlich sind.
Kompaktes und robustes Design
Die SigOFIT-Sonden wurden sowohl für Labor- als auch für Industrieumgebungen entwickelt und vereinen fortschrittliche Messtechnik mit einer kompakten und robusten Bauweise.
Anpassbare Faserlänge
Jede Sonde wird mit einem standardmäßigen 2 Meter langen Glasfaserkabel geliefert. Kundenspezifische Glasfaserlängen sind erhältlich, um bestimmten Laborlayouts und Testanforderungen gerecht zu werden.
Die SigOFIT Gen 3-Serie wurde entwickelt, um höchste Sicherheits- und Leistungsstandards zu erfüllen und bietet Ingenieuren eine zuverlässige Lösung für präzise Differenzmessungen in anspruchsvollen Hochspannungs- und Hochfrequenzumgebungen.
Features
Weitere Informationen
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CMRR
Die SigOFIT-Sonde weist ein hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) von bis zu 108 dB bei 1 GHz auf.
GaN geeignet
Die Micsig SigOFIT-Sonden wurden speziell für GaN und ähnliche Anwendungen entwickelt. Um den hohen Anforderungen gerecht zu werden, sind die Messleitungen kurz und die Eingangskapazität beträgt weniger als 3 pF.
Hohe Genauigkeit
Die SigOFIT-Sonde zeichnet sich durch hervorragende Amplituden-Frequenz-Eigenschaften aus, und die Genauigkeit der Gleichstromverstärkung liegt unter 1 %. Der maximale Rauschpegel innerhalb des Messbereichs beträgt <0,3 mVrms, und die Nullpunktdrift liegt unter 0,1 %.
Für Halbleiter der dritten Generation
SiC- und GaN-Bauelemente können hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden schalten, und das Signal kann hochenergetische, hochfrequente Harmonische aufweisen.
Spezifikationen
| Modellvergleich | MOIP200P | MOIP350P | MOIP500P | MOIP1000P |
|---|---|---|---|---|
| Bandbreite | 200 MHz | 350 MHz | 500 MHz | 1 GHz |
| Aufstiegszeit | ≤1,5 ns | ≤1ns | ≤800ps | ≤450ps |
| SMA-Eingangsimpedanz | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF |
| Ausgangsspannung | ±1,25 V | ±0,5 V | ±0,5 V | ±0,5 V |
| Differenzspannungsbereiche | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V | 20X: ±10V 50X: ±25V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V |
| Lärm | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms |
| Ausbreitungsverzögerung | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) |
| Stromversorgung | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V |
| Genauigkeit der Gleichstromverstärkung | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % |
| Gleichtaktspannungsbereich | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk |
| Kabellänge | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) |
Spezifikationsdämpfer
| Sondenspitze | Dämpfung | Differenzspannungsbereich (MOIP200P/350P/500P/1000P) | Eingangsimpedanz |
|---|---|---|---|
| OP20 | 2X/20X | ±1 V / ±10 V | 4,47 MΩ || ≤ 4 pF |
| OP50 | 5x/50x | ±2,5 V / ±25 V | 4,19 MΩ || ≤ 2 pF |
| OP100 | 10x/100x | ±5 V / ±50 V | 4,10 MΩ || ≤ 2 pF |
| OP1000 | 100x/1000x | ±50 V / ±500 V | 20,94 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP2000 | 200X/2000X | ± 100 V / ± 1000 V | 20,52 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP5000 | 500X/5000X | ± 250 V / ± 2500 V | 40,82 MΩ || ≤1 pF |
| OP10000 | 1000X/10000X | ± 500 V / ± 5000 V | 40,82 MΩ || ≤ 1 pF |
| OP20000 | 2000X/20000X | ±1000 V / ±10000 V | 120 MΩ / 2 pF |
| OP30000 | 3000X/30000X | ±1500 V / ±15000 V | 180 MΩ / 1 pF |
| OP40000 | 4000X/40000X | ±2000 V / ±20000 V | 240 MΩ / 1 pF |
| OP5000-RF | 500X/5000X | ±250 V / ±2500 V |
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