Micsig MOIP100P SigOFIT Tastkopf
Vorteile
- Bandbreite 100 MHz
- Anstiegszeit ≤3,5 ns
- Genauigkeit < 1 %
- Gleichtaktunterdrückung: 128 dB (100 MHz)
- Dieses Produkt wurde vom Hersteller abgekündigt
Beschreibung
Der Micsig SigOFIT MOIP100P hat eine Bandbreite von 100 MHz und ein Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) von 128 dB bei 100 MHz.Die Micsig SigOFIT-Serie umfasst hochmoderne, optisch isolierte Tastköpfe, die speziell für präzise Messungen in Hochfrequenz- und Hochspannungsanwendungen entwickelt wurden. Dank der exklusiven SigOFIT™-Technologie von Micsig bieten diese Tastköpfe ein außergewöhnliches Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) und eine hervorragende Isolationsspannung. Mit einer Bandbreite von bis zu 1 GHz und einem CMRR von bis zu 180 dB bei Gleichstrom und 108 dB bei 1 GHz eignen sich SigOFIT-Tastköpfe ideal für die präzise Messung von Differenzsignalen auch bei hohen Gleichtaktspannungen.
Hauptmerkmale und Funktionen:
Optische Isolationstechnologie: Die SigOFIT-Sonden nutzen Glasfaserverbindungen, um eine vollständige galvanische Trennung zwischen dem Messgerät (z. B. einem Oszilloskop) und dem Testkreis zu gewährleisten. Dies ermöglicht sichere Messungen in Hochspannungsumgebungen und minimiert gleichzeitig das Risiko von Störungen durch Gleichtaktspannungen.Breites Anwendungsspektrum: Die Sonden der SigOFIT-Serie eignen sich für ein breites Anwendungsspektrum, darunter die Entwicklung von Motorantrieben, Leistungswandlern und elektronischen Vorschaltgeräten sowie die Analyse von GaN- und SiC-Halbleiterbauteilen. Sie sind außerdem ideal für Sicherheitsprüfungen in Hochspannungs- und Hochfrequenzanwendungen.
Hohe Präzision: Mit einer Gleichstromverstärkungsgenauigkeit von 1 % und einer Rauschunterdrückung von unter 450 µV<sub>RMS</sub> bieten die SigOFIT-Tastköpfe eine extrem hohe Messgenauigkeit. Dadurch lassen sich selbst kleinste Signaldetails präzise erfassen und analysieren.
Vielseitige Dämpfungsspitzen: Die Tastköpfe der SigOFIT-Serie sind mit verschiedenen Dämpfungsspitzen erhältlich, die Dämpfungsverhältnisse von 10:1 bis 10.000:1 bieten. Dadurch können sie einen breiten Bereich von Differenzspannungen von ±0,01 V bis ±6250 V messen. Zusätzlich kann die Verstärkungsfunktion des Tastkopfs das Signal um den Faktor 10 verstärken, sodass für jeden Dämpfungspeak zwei Dämpfungsbereiche zur Verfügung stehen. Es ist jedoch zu beachten, dass bei Verwendung der Verstärkungsfunktion auch Störungen und Rauschen verstärkt werden können.
Schnelle Kalibrierung und einfache Handhabung: Die SigOFIT-Sonden verfügen über eine automatische Kalibrierfunktion, die in weniger als einer Sekunde abgeschlossen ist und ohne Unterbrechung des Messkreises durchgeführt werden kann. Dies gewährleistet eine effiziente und einfache Handhabung, insbesondere bei wiederholten Messungen.
Robustes und kompaktes Design: Trotz ihrer fortschrittlichen Technologie sind die SigOFIT-Sonden kompakt und robust, wodurch sie sich sowohl für den Einsatz in Laboren als auch in anspruchsvollen industriellen Umgebungen eignen.
Die SigOFIT-Serie wurde insgesamt unter Berücksichtigung höchster Sicherheitsstandards entwickelt, um Anwendern eine sichere und zuverlässige Messumgebung zu bieten, insbesondere bei Arbeiten in Hochspannungs- und Hochfrequenzumgebungen. Dank dieser Sicherheitsmerkmale eignen sich die SigOFIT-Tastköpfe hervorragend für anspruchsvolle und gefährliche Messanwendungen.
Features
Weitere Informationen

CMRR
Die SigOFIT-Sonde weist ein hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) von bis zu 128 dB bei 100 MHz und über 108 dB bei 1 GHz auf.

GaN geeignet
Die Micsig SigOFIT-Sonden wurden speziell für GaN und ähnliche Anwendungen entwickelt. Um den hohen Anforderungen gerecht zu werden, sind die Messleitungen kurz und die Eingangskapazität beträgt weniger als 3 pF.

Hohe Genauigkeit
Die SigOFIT-Sonde zeichnet sich durch hervorragende Amplituden-Frequenz-Eigenschaften aus, und die Genauigkeit der Gleichstromverstärkung liegt unter 1 %. Der maximale Rauschpegel innerhalb des Messbereichs beträgt <450 μVrms, und die Nullpunktdrift liegt nach der Aufwärmphase unter 500 μV.

Für Halbleiter der dritten Generation
SiC- und GaN-Bauelemente können hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden schalten, und das Signal kann hochenergetische, hochfrequente Harmonische aufweisen.
Spezifikationen
| Modellvergleich | MOIP100P | MOIP200P | MOIP350P | MOIP500P | MOIP800P | MOIP1000P |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Bandbreite | 100 MHz | 200 MHz | 350 MHz | 500 MHz | 800 MHz | 1 GHz |
| Aufstiegszeit | ≤3,5 ns | ≤1,5 ns | ≤1ns | ≤700 PS | ≤438ps | ≤350 PS |
| SMA-Eingangsimpedanz | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF | 1 MΩ; || 10 pF |
| Ausgangsspannung | ±1,25 V | ±1,25 V | ±0,5 V | ±0,5 V | ±0,5 V | ±0,5 V |
| Differenzspannungsbereich | 1X: ±1,25 V 2X: ±2,5V 10X: ±12,5 V 20X: ±25V 50X: ±62,5 V 500X: ±625 V1000X: ±1250V 2000X: ±2500V 5000X: ±6250V
| 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V
| 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100x: ±50 V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V | 1X: ±0,5V 2X: ±1V 10X: ±5V 20X: ±10V 50X: ±25V 500X: ±250V1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 1000X: ±5000V | 20X: ±10V 50X: ±25V 1000x: ±500 V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V |
| Lärm | <450μVrms | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <0,3 mVrms | <450μVrms | <0,3 mVrms |
| Laufzeitverzögerung | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) |
| Stromversorgung | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V | USB Typ-C, Gleichstrom: 12 V |
| Genauigkeit der Gleichstromverstärkung | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % |
| Gleichtaktspannungsbereich | 60 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk | 85 kVpk | 60 kVpk | 85 kVpk |
| Kabellänge | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) |
Spezifikationsdämpfer
| Sondenspitze | Dämpfung | Differenzspannungsbereich (MOIP100P) | Differenzspannungsbereich (MOIP800P) | Differenzspannungsbereich (MOIP200P/350P/500P/1000P) | Eingangsimpedanz |
|---|---|---|---|---|---|
| OP10 | 1x/10x | ±1,25 V / ±12,5 V | ±0,5 V / ±5 V | 3,75 MΩ / 6 pF | |
| OP20 | 2X/20X | ±2,5 V / ±25 V | ±1 V / ±10 V | ±1 V / ±10 V | 4,47 MΩ / 4 pF |
| OP50 | 5x/50x | ±6,25 V / ±62,5 V | ±2,5 V / ±25 V | ±2,5 V / ±25 V | 4,19 MΩ / 2 pF |
| OP100 | 10x/100x | ±12,5 V / ±125 V | ±5 V / ±50 V | ±5 V / ±50 V | 4,10 MΩ / 2 pF |
| OP200 | 20x/200x | ±25 V / ±250 V | ±10 V / ±100 V | 9,03 MΩ / 2 pF | |
| OP500 | 50x/500x | ±62,5 V / ±625 V | ±25 V / ±250 V | 20,98 MΩ / 1 pF | |
| OP1000 | 100x/1000x | ±125 V / ±1250 V | ± 50 V / ± 500 V | ±50 V / ±500 V | 20,94 MΩ / 1 pF |
| OP2000 | 200X/2000X | ±250 V / ±2500 V | ± 100 V / ± 1000 V | ± 100 V / ± 1000 V | 20,52 MΩ / 1 pF |
| OP5000 | 500X/5000X | ±625 V / ±6250 V | ± 250 V / ± 2500 V | ± 250 V / ± 2500 V | 40,82 MΩ / 2,4 pF | 40,92 MΩ / 1 pF |
| OP10000 | 1000X/10000X | N / A | ± 500 V / ± 5000 V | ± 500 V / ± 5000 V | 40,82 MΩ / 2,4 pF |




