

Micsig MOIP350P SigOFIT Tastkopf
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Vorteile
- Bandbreite 350 MHz
- Anstiegszeit ≤1ns
- Genauigkeit < 1%
- CMRR: 118dB (300MHz)
Beschreibung
Die Micsig SigOFIT MOIP350P verfügt über eine Bandbreite von 300 MHz und CMRR von 118dB (bei 300 MHz).Die Micsig SigOFIT-Serie repräsentiert eine fortschrittliche Generation optisch isolierter Tastköpfe, die speziell entwickelt wurden, um präzise Messungen in anspruchsvollen Hochfrequenz- und Hochspannungsanwendungen zu ermöglichen. Dank der innovativen SigOFIT™-Technologie von Micsig zeichnen sich diese Tastköpfe durch herausragende Gleichtaktunterdrückung (CMRR) und hohe Isolationsspannung aus. Mit einer Bandbreite von bis zu 1 GHz und einer CMRR von bis zu 180 dB bei DC sowie 108 dB bei 1 GHz, sind die SigOFIT-Tastköpfe bestens geeignet, um differenzielle Signale selbst in Gegenwart starker Gleichtaktspannungen präzise zu messen.
Wichtige Eigenschaften und Funktionen:
Optische Isolationstechnologie: Die SigOFIT-Tastköpfe nutzen Glasfaserverbindungen zur optischen Isolation, wodurch eine vollständige galvanische Trennung zwischen dem Messgerät (z.B. Oszilloskop) und der Testschaltung erreicht wird. Dies reduziert das Risiko von Störungen durch Gleichtaktspannungen erheblich und ermöglicht gleichzeitig sichere Messungen in Hochspannungsumgebungen.
Vielseitige Einsatzmöglichkeiten: Diese Tastköpfe sind äußerst vielseitig einsetzbar, sei es bei der Entwicklung von Motorantrieben, in der Arbeit mit Stromrichtern und elektronischen Vorschaltgeräten oder in der Analyse moderner GaN- und SiC-Halbleiterbauelemente. Zudem eignen sie sich hervorragend für Sicherheitsprüfungen in Hochspannungs- und Hochfrequenzumgebungen.
Hohe Messgenauigkeit: Mit einer Verstärkungsgenauigkeit von 1 % bei DC und einer Rauschunterdrückung von weniger als 450 µV RMS bieten die SigOFIT-Tastköpfe eine außergewöhnliche Präzision, die es ermöglicht, selbst kleinste Signaldetails zuverlässig zu erfassen und zu analysieren.
Anpassbare Dämpfung: Die SigOFIT-Serie ist mit verschiedenen Dämpfungsspitzen ausgestattet, die Dämpfungsverhältnisse von 10:1 bis 10.000:1 abdecken. Dadurch lassen sich differenzielle Spannungen von ±0,01 V bis ±6250 V messen. Zudem kann die Gain-Funktion das Signal um das 10-fache verstärken, wodurch jeder Dämpfungsspitze zwei Dämpfungsbereiche zur Verfügung stehen. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass bei Verstärkung auch Störungen und Rauschen verstärkt werden können.
Schnelle Kalibrierung und Benutzerfreundlichkeit: Die Tastköpfe der SigOFIT-Serie bieten eine automatische Kalibrierungsfunktion, die in weniger als einer Sekunde abgeschlossen ist und keine Trennung der Testschaltung erfordert. Dies macht wiederholte Messungen besonders effizient und einfach.
Kompakte und robuste Bauweise: Trotz ihrer fortschrittlichen Technologie sind die SigOFIT-Tastköpfe kompakt und robust konstruiert, was sie ideal für den Einsatz in Laboren sowie in anspruchsvollen industriellen Umgebungen macht.
Die SigOFIT-Serie wurde entwickelt, um höchste Sicherheitsstandards zu erfüllen und den Anwendern eine zuverlässige und sichere Messumgebung zu bieten, insbesondere in Hochspannungs- und Hochfrequenzanwendungen. Diese Merkmale machen die SigOFIT-Tastköpfe zur optimalen Wahl für kritische und anspruchsvolle Messaufgaben.
Features
Weitere Informationen

CMRR
Der SigOFIT-Tastkopf hat ein hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) von bis zu 128dB bei 100MHz und über 108dB bei 1GHz.

GaN geeignet
Die Micsig SigOFIT Sonden wurden gezielt für GaN und ähnliche Anwendungen entwickelt. Um den hohen Anforderungen gerecht zu werden sind die Messleitungen kurz und die Eingangskapazität beträgt weniger als 3pF Eingangskapazität.

Hohe Genauigkeit
Die SigOFIT-Sonde hat hervorragende Amplituden-Frequenz-Eigenschaften, und die Genauigkeit der DC-Verstärkung ist besser als 1 %. Das maximale Grundrauschen innerhalb des Bereichs beträgt <450μVrms, und der Nullpunktdrift ist nach dem Aufwärmen kleiner als 500 μV.

Für Halbleiter der dritten Generation
SiC- und GaN-Bauteile können hohe Spannungen in wenigen Nanosekunden schalten, das Signal kann hochenergetische Hochfrequenz-Oberwellen aufweisen.
Spezifikationen
Modellvergleich | MOIP100P | MOIP200P | MOIP350P | MOIP500P | MOIP800P | MOIP1000P |
---|---|---|---|---|---|---|
Bandbreite | 100 MHz | 200 MHz | 350 MHz | 500 MHz | 800 MHz | 1GHz |
Anstiegszeit | ≤3,5 ns | ≤1,75 ns | ≤1ns | ≤700 PS | ≤438ps | ≤350 PS |
SMA-Eingangsimpedanz | 1MΩ; || 10pF | 1MΩ; || 10pF | 1MΩ; || 10pF | 1MΩ; || 10pF | 1MΩ; || 10pF | 1MΩ; || 10pF |
Ausgangsspannung | ±1,25V | ±1,25V | ±0,5V | ±0,5V | ±0,5V | ±0,5V |
Differenzspannungsbereiche | 20X: ±25V 50X: ±62,5V 200X: ±250 V1000X: ±1250V 2000X: ±2500V 5000X: ±6250V | 20X: ±25V 50X: ±62,5V 200X: ±250 V1000X: ±1250V 2000X: ±2500V 5000X: ±6250V | 20X: ±25V 50X: ±62,5V 200X: ±250 V 1000X: ±1250V 2000X: ±2500V 5000X: ±6250V | 20X: ±10V 50X: ±25V 100X: ±50 V2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V | 20X: ±10V 50X: ±25V 1000X: ±500V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V | 20X: ±10V 50X: ±25V 1000X: ±500V 2000X: ±1000V 5000X: ±2500V 10000X: ±5000V |
Rauschen | <450μVrms | <450μVrms | <450μVrms | <450μVrms | <450μVrms | <450μVrms |
Ausbreitungsverzögerung | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) | 15,42 ns (2 m Kabellänge) |
Stromversorgung | USB Typ-C, DC: 12 V | USB Typ-C, DC: 12 V | USB Typ-C, DC: 12 V | USB Typ-C, DC: 12 V | USB Typ-C, DC: 12 V | USB Typ-C, DC: 12 V |
DC-Verstärkungsgenauigkeit | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % | 1 % |
Gleichtaktspannungsbereich | 60kVpk | 60kVpk | 60kVpk | 60kVpk | 60kVpk | 60kVpk |
CableLength | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) | 2 M (Std.) (anpassbar) |
Spezifikation Dämpfungsglieder
Sondenspitze | Abschwächung | Differenzialer Spannungsbereich (MOIP100P/200P/350P) | Differenzialer Spannungsbereich (MOIP500P) | Differenzialer Spannungsbereich (800P/1000P) | Eingangsimpedanz |
---|---|---|---|---|---|
OP20 | 2X/20X | ±2,5V / ±25V | ±1V / ±10V | ±1V / ±10V | 4,47 MΩ / 4 pF |
OP50 | 5X/50X | ±6,25V / ±62,5V | ±2,5V / ±25V | ±2,5V / ±25V | 4,19 MΩ / 2 pF |
OP100 | 10X/100X | - | ±5V / ±50V | - | 4,10 MΩ / 2 pF |
OP200 | 20X/200X | ±25V / ±250V | - | - | 9,03 MΩ / 2 pF |
OP1000 | 100X/1000X | ±125V / ±1250V | - | ± 50V / ± 500V | 20,94 MΩ / 1 pF |
OP2000 | 200X/2000X | ±250V/ ±2500V | ± 100V / ± 1000V | ± 100V / ± 1000V | 20,52 MΩ / 1 pF |
OP5000 | 500X/5000X | ±625V / ±6250V | ± 250V / ± 2500V | ± 250V / ± 2500V | 40,82 MΩ / 2,4 pF | 40,92 MΩ / 1 pF |
OP10000 | 1000X/10000X | N.A. | ± 500V / ± 5000V | ± 500V / ± 5000V | 40,82 MΩ / 2,4 pF |
Sondenspitzen